Transistor bipolare BJT Toshiba 2SA1943-O
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Descrizione
Transistor bipolare BJT Toshiba 2SA1943-O
Caratteristiche
- Produttore: Toshiba
- Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
- Tecnologia: Si
- Stile di montaggio: Through Hole
- Package/involucro: TO-3P-3
- Polarità transistor : PNP
- Configurazione: Single
- Corrente CC massima collettore: 15 A
- Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 230 V
- Tensione base-collettore VCBO: 230 V
- Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
- Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1.5 V
- Pd - Dissipazione di potenza: 150 W
- Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 30 MHz
- Temperatura di lavoro minima
- Temperatura di lavoro massima: + 150 C
- Serie: 2SA
- Marchio: Toshiba
- Corrente continua collettore: 15 A
- Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 55
- Guadagno in corrente CC hFE max: 160
- Altezza: 26 mm
- Lunghezza: 20.5 mm
- Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors